单片集成MEMS电容式压力传感器研究
东南大学硕士学位论文
本文设计了一种同体式电容压力传感器,传感器由多晶硅/_.--氧化硅瓜阱硅等三层膜组成,该传感器电容结构与CMOS工艺中的MoS电容相同,因而完全与CMOS—r艺兼容。该传感器还避免了密封腔内电极引出的问题,简化了:L艺步骤,提高了传感器的可靠性。使HJ有限元方法对传感器复合膜的机械特性以及灵敏度进行了分析。设计并制造了10009m、1200pm、14009m、15009m等四种不同边长多层膜压力传感器,在460hPa到1060hPa的动态范闱,相应灵敏度分别为1.8fF/hPa、2.3fF/hPa、3.6fF/hPa、4.6fF/hPa。对于边长为10009m传感器,其
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