通过光电化学处理改善的InGaN肖特基接触

上传:xxcdxj69970 浏览: 22 推荐: 0 文件:PDF 大小:828.56KB 上传时间:2020-04-24 00:13:34 版权申诉
通过光电化学处理改善的InGaN肖特基接触,汤寅,陈敦军,通过引入光电化学处理我们改善了InGaN的肖特基接触。结果表明,肖特基正向电流符合thermionic-fieldemission(TFE)模型,并且在室温下经过
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