裂解温度对硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜氧空位的形成及其发光性能的影响

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裂解温度对硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜氧空位的形成及其发光性能的影响，姚荣迁，郑鸿飞，通过先驱体熔融纺膜法纺出连续聚碳硅烷(PCS)原膜，对其进行10h氧化交联及900预烧后，分别在1050℃、1100℃、1150℃、1200℃及1300℃下进行�