Electron mobility in strained wurtzite AlGaN/GaN heterojunctions with finitethic
有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应,武维,班士良,基于力平衡方程,考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射,讨论室温及高于室温下,有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电
用户评论