高阶校正对NMSSM希格斯玻色子质量和带电希格斯衰变的量表依赖性$$ {H ^ {\ pm} \ rightarrow W ^ \ pm h_ {i}} $$

在本文中，我们计算了在保持CP的NMSSM中带电的希格斯玻色子衰变为W玻色子和中性希格斯玻色子的电弱校正。 我们在一般的$$ R_ \ xi $$Rξ规范中计算过程，并研究环路校正后的衰减宽度对规范参数$$ \ xi $$ξ的依赖性。 规格相关性是由不同回路顺序的混合引起的。 现象学要求对外部希格斯玻色子包括质量和混合校正，以匹配实验测量的质量值。 结果，我们摆脱了严格的单循环计算，因此在扰动理论中混合了阶次。 此外，在迭代过程中确定回路校正质量也导致混合不同回路顺序。 然后，与在回路计算中应用的树级戈德斯通玻色子玻色子耦合的不匹配以及回路校正后的质量本身的标尺相关性会导致规格依赖性。 我们发