首页 下载 移动开发 其他 下载详情 多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备 上传:wang27404 浏览: 14 推荐: 0 文件:PDF 大小:810.73KB 上传时间:2020-07-19 07:29:16 版权申诉 多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备,杨靖霞,石勇,采用电化学沉积法,以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料,在多孔TiO2基底上于沉积电位-1100mV成功沉积制备出CuInSe2薄膜。直接沉积的薄膜 立即下载 上传资源 微信扫一扫 用户评论 提交评论