多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备

上传：wang27404 浏览： 14 推荐： 0 文件：PDF 大小：810.73KB 上传时间：2020-07-19 07:29:16 版权申诉

多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备，杨靖霞，石勇，采用电化学沉积法，以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料，在多孔TiO2基底上于沉积电位-1100mV成功沉积制备出CuInSe2薄膜。直接沉积的薄膜