忆阻器的发展

1. 提出与产生 1971年，柏克莱加州大学蔡少棠预测了忆阻器的存在 电阻： （1） 电感： （2） 电容： （3） 当中q是电荷；I是电流；V是电压；而ΦB则是磁通量。 从而可以推断出还存在一种联系磁通量和电荷的元器件，命名为忆阻器，英文名称为memristor,即为memory resistor 记忆电阻的意思。在忆阻器中，磁通量 受到积累电荷q所影响。磁通量按电荷的改变率称之为“忆阻值” 根据法拉第电磁感应定律及符合函数求导法则，可见忆阻器的电压V是与电流I及忆阻值的积有关。 可见，忆阻器可以作为