忆阻器的发展
1. 提出与产生 1971年,柏克莱加州大学蔡少棠预测了忆阻器的存在 电阻: (1) 电感: (2) 电容: (3) 当中q是电荷;I是电流;V是电压;而ΦB则是磁通量。 从而可以推断出还存在一种联系磁通量和电荷的元器件,命名为忆阻器,英文名称为memristor,即为memory resistor 记忆电阻的意思。在忆阻器中,磁通量 受到积累电荷q所影响。磁通量按电荷的改变率称之为“忆阻值” 根据法拉第电磁感应定律及符合函数求导法则,可见忆阻器的电压V是与电流I及忆阻值的积有关。 可见,忆阻器可以作为
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