在GaN Gunn二极管的缺口区域中使用AlGaN

通过基于负差迁移率模型的仿真研究了以氮化铝镓(AlGaN)为发射器的纤锌矿型氮化镓(GaN)Gunn二极管。 仿真表明,在偶极子域模式的自激振荡下,具有两步渐变的AlGaN发射极结构的二极管在基本振荡时可产生最大1.95 W的rf功率和1.72%的dc / rf转换效率。频率约为215 GHz。 这种没有低掺​​杂Craft.io的耿氏二极管结构方便了精确控制GaN外延生长的掺杂剂浓度。