电源技术中的简述IGBT保护电路设计中必知问题

上传:geely_71827ede 浏览: 7 推荐: 0 文件:PDF 大小:163.82KB 上传时间:2020-10-28 01:55:10 版权申诉
1 引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发
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