尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成,为了降低导通电阻,同时不降低器件其他性能,如漏源击穿电压,最直接的办法是减少相邻元胞的间距,在相同的面积下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助了沟槽式接触概念以及突起式多晶硅结构来克服由尺寸缩小引发的沟道穿通效应。