一种GaN宽禁带功率放大器的设计

上传：weixin_39209 浏览： 14 推荐： 0 文件：PDF 大小：474.22KB 上传时间：2020-10-28 06:46:01 版权申诉

半导体功率器件按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以Si双极型功率晶体管为主要代表,主要应用在S波段及以下波段中。Si双极型功率晶体管在L波段脉冲输出功率可以达到数百瓦量级,而在S波段脉冲功率则接近200W。第二代半导体功率器件以GaAs场效晶体管为代表,其最高工作频率可以达到30~100 GHz。GaAs场效应晶体管在C波段最高可输出功率接近100W,而在X波段则可达到25 W。第三代半导体功率器件以SiC场效应