一种新的晶圆级1/f噪声测量方法

MOSFET在模拟和射频电路中得到了广泛的应用。但是,MOSFET中的低频噪声,尤其是较高频率的1/f噪声,是模拟和射频电路应用中人们关注的重要因素。此外,随着器件特征尺寸的缩小,1/f噪声会大大增加。因此,在测量1/f噪声时设计一套可靠的、重复性好的、精确的测量方法和系统是非常必要的。本文提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和相应的测试架构,能够测量低于100 Hz的低频1/f噪声。