模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

引言 模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数/模转换器、模/数转换器等电路中,基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小,但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中,所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 近年来有研究指出,当漏电流保持不变时,工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性,带隙基准源所采用的基极-发射极结可以被工作在弱反型区的晶体管代替产生低温度系数的基准源。文献中提到采用该设计原理的