基础电子中的硅基半导体激光器

目前,对于单片集成光电子回路来说,最大的限制就在于缺少合适的光源,而基于化合物材料的半导体激光器由于工艺上与标准集成电路工艺不兼容,无法实现单片集成电路。所以只能选择硅作为基本材料的发光器件,即硅发光二极管或者硅基激光器。由于激光器在各方面性能上的优势,使硅基激光器的研究就更具有关键性意义。大量的相关研究工作已经取得了显著进展,实现了硅的受激发射。 Intel公司于2005年1月成功研制出了全硅拉曼激光器,标志着硅基光电子研究进入了一个崭新的时代:仅一个月后,该公司又实现了世界上第一支连续波全硅激光器。该激光器结构如图所示,器件基于SOl低损耗单模脊型光波导,利用反向偏置PIN二极管来极