铁电材料

在对更快和更可靠的存储器研究中,铁电体成为一种可行的方案。一个存储器单元必须用两种状态中的一种(开/关,高/低,0/1)存储信息,能够快速响应(读写)和可靠地改变状态。铁电材料电容如PbZr1-xTxO3(PZT)和SrBi2Ta2O9(SBT)正好表现出这些特性。它们并入SiCMOS(参考第十六章)存储电路叫做铁电随机存储器(FeRAM)。5 Ge Si GaAs SiO2 原子质量 每立方厘米原子数或摩尔 晶体结构 单位晶格 密度 能隙 绝缘系数 熔点 击穿电压 热膨胀线性系数 图2.14 半导体材料的物理性能