LED前沿动态

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一、重点研究机构 1 名古屋工业大学名古屋工业大学纳米器件及系统研究中心是由著名专家梅野正义教授创立,在现任主任江川孝志教授的领导下,包括邵春林教授在内的华人博士团队长期致力于以硅为衬底的氮化镓(GaN)系化合物半导体的研究。该中心的主要研究课题是“硅衬底基片上的GaN系外延片生长技术、LED、HEMT”研究。该项课题研究从2003年开始,到2005年结束,历时3年。此外,还同时与日本大阳日酸公司共同开发MOCVD,与日本冲电气共同研发电子设备。2003年度,成功开发了2英寸的衬底基片、氮化镓系的外延片生长及其各种设备。 2004年度,该中心又成功开发了硅衬底

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