智能剥离技术(Smart cut)

Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500°C时,氢离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成SOI结构。键合SOI最大缺点是难以获得较薄(< 100 nm)的硅膜, 这就限制了其在高速ULSI、低压、低功耗方面的应用。为了解决这一问题,M. Bruel等提出的利用键合技术的智能剥离技术(Smart-cut)获得超薄的硅层[31],由于该项技术在超薄硅层制备方面的优势,得到了迅速的发展[32]。法国的SOITEC公司已利用这项技术批量生产出高质量的Unibond SOI片。智能剥离技