基于第一性原理与BP神经网络的V掺杂TiO2光电性质研究
通过采用密度泛函理论第一性原理计算,主要研究不同浓度下V掺杂TiO2的结构、能带、电导率、反射和吸收率的变化。建立本征TiO2和VxTi1-xO2(x=0.062 5,0.125,0.187 5)的掺杂模型,掺杂体系具有较高的电导率且具有N型半导体特征。通过BP神经网络对模型的能带结果进行训练,训练的模型数据结果发现掺杂后具有较高的电导率,禁带宽度明显降低。综合以上结果,在x=0.187 5时实现最佳电导率和光学性能。
用户评论
相关推荐
Sn掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理研究
采用密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,利用广义梯度近似和Perdew-Burke-Ernzerdorf泛函,计算了不同Sn掺杂浓度下SZO(Sn∶ZnO)体系的电子结构与光学性质。研究了Sn掺杂
PDF
13.47MB
2021-02-08 10:42
Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法, 计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV, Mo掺杂Mn4Si7的禁
PDF
4.05MB
2021-02-01 16:20
SCo双掺杂TiO2改性第一性原理
为提高TiO2晶体的光催化性能,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了S和Co分别单掺杂和双掺杂锐钛矿TiO2的晶体结构、电子结构和光学性质.研究结果表明:原子替位掺杂后体系晶格畸变较小;禁
PDF
950KB
2020-07-16 10:51
Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究
基于第一性原理的密度泛函理论,用广义梯度近似方法(GGA)计算了Mg掺杂纤锌矿GaN的电子结构和光学性质,分析了能带结构与电子态密度以及掺杂前后GaN体系的介电函数与能带结构之间的关系。计算结果表明掺
PDF
1.09MB
2020-07-18 09:08
Cu I掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理, 计算了未掺杂, Cu、I单掺杂以及Cu-I共同掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质。结果表明, Cu、I单独掺杂TiO2都使得吸收带边红移, I单掺时I5p跟O
PDF
7.38MB
2021-02-01 12:12
S掺杂纤锌矿ZnO的光催化性质的第一性原理研究
利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硫(S)掺杂纤锌矿氧化锌(ZnO)的能带结构、态密度和光学性质。结果表明:掺杂后晶格畸变,晶格常数随着掺杂量的增加而增大;S 原子掺杂减小了能带间隙,提高了电子
PDF
3.52MB
2021-02-10 03:03
TiO2中Fe和Ce共掺杂的电子结构的第一性原理研究
TiO2中Fe和Ce共掺杂的电子结构的第一性原理研究，赵强，殷春浩，采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了纯锐钛矿相的TiO2、单掺杂Fe和Ce及Fe和Ce共掺杂的TiO2的能带结构及态密度。
PDF
0B
2020-03-26 04:25
Co掺杂βFeSi2电子结构及光学性质的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格
PDF
3.11MB
2021-02-01 09:01
MgSr掺杂CaF_2电子结构及光学性质的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对纯CaF2晶体和Mg、Sr掺杂CaF2体系的晶体结构、电学以及光学性质进行了详细的对比研究,结果表明:与纯CaF2晶体相比,掺杂体系的带隙变窄且形成新的
PDF
748KB
2021-02-22 16:15
铝掺杂单壁扶手型66硅纳米管电子结构和光电性质的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了铝掺杂对单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态硅纳米管属于直接带隙半导体,其禁带宽度为0.42eV,而铝掺杂硅纳米管为间接带
PDF
359KB
2021-04-21 01:16
Ti掺杂单层δMnO2的磁性和电子性质的第一性原理研究
Ti掺杂单层δ-MnO2的磁性和电子性质的第一性原理研究，张余，商波，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了Ti掺杂对单层δ-MnO2电子性质、磁性的影响。计算结果表明：本征单层δ-MnO2属于
PDF
0B
2020-02-13 20:05
钯掺杂ZnS中磁性的第一性原理研究
通过使用广义梯度近似(GGA)和GGA加Hubbard U(GGA + U)的密度泛函理论(DFT)计算,研究了掺杂非磁性贵金属钯的掺锌共混物结构ZnS中的电子结构和磁性。 。 GGA和GGA + U
PDF
128KB
2021-04-06 15:27
第一性原理计算V Al共掺杂CrSi
采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2
PDF
4.57MB
2021-02-08 11:08
梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究
梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究
PDF
1.14MB
2021-02-23 17:49
钛掺杂AlP体系的半金属性质和电子结构的第一性原理研究
我们使用基于自旋密度泛函理论的第一原理,以数字方式给出了掺钛ALP系统的铁磁和自旋分辨电子性能。 发现Ti杂质是自旋极化的,并且根据计算出的能带结构表明导电载流子的100%极化。 此外,还证明了每Ti
PDF
384KB
2021-03-23 17:19