硅基IV 族光电器件研究进展(二)——光电探测器

基于Ge、GeSn 等IV 族材料的硅基探测器与Si CMOS 工艺兼容性好,成本低廉,并且易于与硅基波导器件集成,因而具有非常重要的应用价值。介绍了中国科学院半导体研究所在相关硅基IV 族合金材料外延制备及相关器件方面的研究,重点介绍在硅基Ge 面入射探测器、波导型探测器、吸收电荷倍增分离型(SACM)结构雪崩光电探测器以及GeSn 光电探测器方面的一些研究进展。