Si衬底功率型GaN基绿光LED性能

对本实验室在Si (111) 衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400 μm×600 μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V, 主波长518 nm, 输出光功率为7.3 mW, 90 mA下达到28.2 mW, 发光功率效率为7.5%, 光输出饱和电流高达600 mA。在200 mA电流下加速老化216 h, 有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED, 把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时, 降低了芯片本身的温度。本器件有良好的发光效率、光衰和光输出饱和电流等综合特性表明, Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发