具有接口累积Kong的部分SOI高压P沟道LDMOS

提出了一种新的具有界面空穴岛(HI)层的局部SOI(绝缘体上硅)(PSOI)高压P沟道LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体),并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上,其密度随负漏极电压而变化,这会增加电介质掩埋氧化层(BOX)中的电场(E(I)),并调制漂移区中的电场。 这导致击穿电压(BV)的提高。 在1微米厚的埋层上具有2微米厚SOI层的HI PSOI的E(I)和BV值分别为580V /μm和-582 V,而81.5 V /μm常规PSOI的-123V。 此外,Si窗还减轻了自热效应(SHE)。 而且,与常规装置相比,所提出的装置展现出低的导通电阻。