制备过程中指数掺杂的透射模GaAs光电阴极的光谱响应变化

为了确认指数掺杂结构对阴极性能的实际影响,将指数掺杂结构用于制备透射型GaAs光电阴极,高温激活后的光谱响应曲线较低。使用在线光谱响应测量系统分别测量了温度激活和铟密封过程。 结果表明,与以前均匀掺杂的光电阴极相比,由于内置的​​电场,指数掺杂的光电阴极可以获得更高的阴极性能和光发射能力。 然而,铯在密封过程中的解吸和气体杂质会导致整个响应波段的光谱响应退化,尤其是在长波长区域,与表面电子逸出概率的降低有关。对表面势垒分布的不利影响。