一维原子光刻经典模型的优化

利用蒙特卡罗随机思想选取轨迹初始条件,将铬原子束同位素、纵向速度分布和横向高斯发散角等因素综合考虑,对原子光刻经典粒子模型进行了优化。将优化后的模型与原模型进行了对比,同时定性分析了表面生长效应。利用新模型在不同激光功率下对沉积过程进行数值模拟,结果表明模拟结果与实验符合得很好。进一步分析了失谐对沉积的影响,当失谐选取250×2π MHz时,可得到较好的沉积结果。该模型较好地整合了沉积过程中的各个影响因素,这为正在进行的实验提供了更好的理论基础。