激光诱导气相热化学光刻的阈值及速率变化特性

上传：骨_头浏览： 6 推荐： 0 文件：PDF 大小：1.87MB 上传时间：2021-02-24 03:29:33 版权申诉

采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。