具有晶格匹配InGaN / AlInN / InGaN量子阱势垒的GaN基发光二极管的性能分析

本文对具有晶格匹配的InGaN / AlInN / InGaN(LM-IAI)量子阱(QW)势垒的GaN基发光二极管(LED)的性能进行了数值研究。 模拟了静电场,载流子电流密度,载流子浓度和辐射复合率的分布,并计算了内部量子效率(IQE)和发射功率。 结果表明,具有LM-IAI势垒的LED比具有GaN势垒的传统同类产品具有更高的IQE和发射功率,这归因于量子限制的Stark效应的缓解和电子泄漏的抑制。 此外,通过去除电子阻挡层可以进一步改善具有所提出的阻挡层的基于氮化物的LED的性能,这归因于空穴注入效率的提高和整体俄歇复合的降低。