δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

上传：wujqppp 浏览： 14 推荐： 0 文件：PDF 大小：355.93KB 上传时间：2021-04-06 21:41:28 版权申诉

在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4%提高到73.2%,短路电流从26.9 m A/cm2增加到27.4 m A/cm2。优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7%提升到17.26%。

上传资源

Si衬底掺杂浓度对InGaN Si异质单结太阳电池性能的影响

【目的】研究p-Si 衬底掺杂浓度对InGaN/Si 异质单结太阳电池性能的影响,为制备高效太阳电池提供理论基础。【方法】将器件的n-InGaN 掺杂浓度固定为1016 cm-3,在改变p-Si 衬底

2021-04-04 18:37

CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧

2021-01-31 21:00

具有不同双峰种群的低密度InAs GaAs量子点的PL

具有不同双峰种群的低密度InAs / GaAs量子点的PL

2021-05-09 09:40

压强对GaSb GaAs量子点形貌各向异性的影响

压强对GaSb/GaAs 量子点形貌各向异性的影响

2021-04-06 08:12

非掺杂GaAs AlGaAs量子点器件的制备与表征

非掺杂GaAs / AlGaAs量子点器件的制备与表征

2021-04-17 14:37

指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究

通过在一维连续性方程光电子产生函数项中加入短波约束因子,修正了指数掺杂和均匀掺杂透射式GaAs光电阴极量子效率公式。利用修正的透射式阴极量子效率公式分别拟合制备的指数掺杂和均匀掺杂透射式阴极量子效率,

2021-03-20 16:00

论文研究基于InAs InP量子缝和InAs GaAs量子点的pin激光异质结构的载流子传导机理研究

通过在InAs / InP和基于InAs / GaAs的引脚结构上进行取决于温度的电流-电压和电致发光测量，研究了包含量子点层（QD）的长波长半导体激光器结构的电荷转移特性。在InAs / InP细

2020-07-17 18:54

InAs GaAs量子点激光光谱中的高强度单模峰

我们报告了InAs / GaAs量子点激光器的异常激光光谱,其中存在一个单模峰,其光强度比其他模式大几倍。在413 mA的注入电流下,在29∘C下测得的单模峰值的最大侧模抑制比为10.11 dB。

2021-05-09 09:40

GaAs纳米线上的多壳InAs量子点的制备和光学性质

结合纳米线和量子点的混合纳米结构促进了具有集成功能的纳米电子和纳米光子器件的发展。在这项工作中,我们提出了一个复杂的纳米结构,在纳米线上生长了多壳量子点。通过金属有机化学气相沉积,在GaAs纳米线

2021-04-22 16:21

Improved efficiency of InAs GaAs quantum dots solar cells by Si doping

This paper reports on significantly improved efficiency of InAs/GaAs quantum dot (QD) solar cells by

2021-02-17 01:24

垂直堆垛InAs量子点的光学性质

垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提

2021-02-10 03:03

低浓度掺杂的量子点粒度分布对荧光辐射谱的影响

当量子点粒度分布为高斯分布时,应用有效质量近似,在低浓度掺杂范围内,得到了量子点荧光辐射谱线形函数与量子点尺寸之间的一般关系,解释了尺寸涨落对线形展宽的影响。对II-VI族的CdSe 量子点和IV-V

2021-02-23 21:08

应力缓冲层对自组装InAs量子点发光性质的影响

采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层可以减小InAs量子点所受的应力、降低位错及缺陷的产生, 使

2021-02-15 23:48

双层堆垛长波长InAs GaAs量子点发光性质研究

研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391~1

2021-02-17 01:24

拓扑结构对PbSe量子点掺杂硼硅酸盐玻璃光致发光的影响

拓扑结构对PbSe量子点掺杂硼硅酸盐玻璃光致发光的影响

2021-04-06 21:41