论文研究 基于宽禁带半导体GaN的高温电子器件建模 .pdf

上传:weixin_39882200 浏览: 5 推荐: 0 文件:PDF 大小:625.95KB 上传时间:2021-04-20 11:44:55 版权申诉
基于宽禁带半导体GaN的高温电子器件建模,沈鸿媛,杨杰,在很多场合中,例如航空航天、石油钻探、火力发电和核能等行业都需要在高温环境下工作的传感系统,与第一代半导体硅、锗和第二代
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