首页 下载 数据库 其它 下载详情 论文研究 基于宽禁带半导体GaN的高温电子器件建模 .pdf 上传:weixin_39882200 浏览: 5 推荐: 0 文件:PDF 大小:625.95KB 上传时间:2021-04-20 11:44:55 版权申诉 基于宽禁带半导体GaN的高温电子器件建模,沈鸿媛,杨杰,在很多场合中,例如航空航天、石油钻探、火力发电和核能等行业都需要在高温环境下工作的传感系统,与第一代半导体硅、锗和第二代 立即下载 上传资源 微信扫一扫 用户评论 提交评论