部分膜上的双栅极横向IGBT

提出了一种在局部膜上具有阴极和阳极栅极的新型SOILIGBT(横向绝缘栅双极晶体管)。当在阳极栅极上施加负电压时,可实现低导通状态电阻。栅极缩短至阴极,阳极栅极缩短至阳极,从而实现快速切换速度。此外,去除漂移区下方的部分硅衬底可避免在掩埋氧化物下方收集电荷,从而释放电势。