铝注入4H SiC的表面形貌和离子活化研究

将多能铝(Al +)注入4H-SiC(0001)外延层并通过石墨封装进行活化退火本文对层进行了研究。 测量结果表明,已形成了Al +掺杂盒掺杂曲线,并具有较高的掺杂浓度。 使用水平化学气相沉积(CVD)在1600°C下退火40分钟,可实现78%的离子活化率React堆。 与高温植入后活化退火(PIA)Craft.io相关的阶梯聚束效应通过使用石墨包封层可以显着地抑制Al 2 O 3。 PIACraft.io后注入的4H-SiC的表面光滑,平均表面粗糙度(RMS)值小,约为1.16 nm。 结果表明,这种表面保护技术对于4H-SiC功率器件的制造是相当有效的Craft.io。