太赫兹波表面等离子体激元在半导体表面的激发和传播特性研究

本文介绍了在半导体(InAs,InP,GaAs)和空气界面上的太赫兹(THz)波表面等离激元极化子(SPPs)的激发和传播特性。 通过分析表面等离子体激元的约束强度及其随频率变化的传播长度,我们证明了表面等离子体激元的约束强度及其传播长度是一个权衡。 此外,提出了温度变化对本征半导体InSb表面SPPs波传播特性的影响。 计算表明,表面等离子体频率随着温度的升高而升高,这与半导体载流子浓度的增大相对应。 在一定的激励太赫兹波作用下,随着温度的升高,约束强度的因子减小,而SPPs的传播长度增加。 这将为太赫兹波表面等离子体装置的设计和优化提供有价值的参考。