​氮化镓GaN行业报告:5G、快充、UVC第三代半导体

宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三 代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射 能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟 的第三代半导体材料是 SiC 和 GaN,而 ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。 氮化镓(GaN)是极其稳定的化合物,又是坚硬和高熔点材料,熔点为 1700°C。GaN 具有高的电离度,在 三五族化合物中是最高的(0.5 或 0.43)。在大气压下,GaN 晶体一般是六方纤锌矿结构,