首页 下载 数据库 其它 下载详情 日本的半导体光激射器研究概况 上传:haihua92995 浏览: 11 推荐: 0 文件:PDF 大小:450.95KB 上传时间:2021-05-02 00:10:58 版权申诉 1962年美国通用电气公司、国际商业机械公司、麻省理工学院等实验室在GaAs二极管上通以正向电流而获得了激光。日本各单位随即展开了研究。63年东芝首先获得了GaAs的激光、测定了其谱线,发现谱线随杂质的种类与浓度而改变,8400埃谱钱的半宽度在0.2埃以下。 立即下载 上传资源 微信扫一扫 用户评论 提交评论