溶液沉积前驱体硫化制备Cu“ 2ZnSnS” 4薄膜

通过硫化(Cu,Sn)S / ZnS结构的前驱体获得Cu2ZnSnS4(CZTS)膜,该前体是通过连续离子层吸附和React方法以及化学浴沉积方法的组合制备的。 当前体在500°C退火2 h时,获得纯Cu2ZnSnS4相。 研究了CZTS薄膜的结构,组成,形貌和光学性能。 结果表明,CZTS薄膜具有相对致密的形貌,其组成接近于Cu2ZnSnS4的化学计量比。 该膜具有较大的光吸收系数(当光能超过1.47 eV时,大于10 4 cm -1 )。 薄膜的光学带隙约为1.56 eV。 该方法被认为是制备高质量CZTS膜的潜在方法。