测量外延层中杂质分布及肖特基二极管自建势的二次微分法 (1978年)

一、简述 外延层中的杂质分布是现代半导体器件设计中的一个重要参数。在微波,高速、高反压等器件中,杂质分布的情况如何,将直接影响器件的有效工作。 六十年代,外延工艺的问世使器件性能有了一个很大的提高。外延工艺的进展对半导体材料的检验工作提出了越来越高的要求,大大地促进了外延分布的测试技术的进展。主要问题就是要解决测试的准确与快速。十多年来,为此而出现了大量的工具方法,至今仍不断出现新的工作。