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sxm87358

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详解PCB冷却技术
随着消费者对更小、更快要求的进一步加强,在解决密度日益提高的印刷电路板(PCB)散热问题方面出现了艰巨的挑战。随着堆叠式微处理器和逻辑单元达到GHz工作频率范围,高性价比的热管理也许已经成为设计、封装和材料领域的工程师亟需解决的优先级问题。 制造3D IC以获得更高的功能密度已经成为当前趋势,这进一步增加了热管理的难度。仿真结果表明,温度上升10°C会使3D IC芯片的热密度翻一倍,并使性能降低三分之一以上。 微处理器的挑战 国际半导体技术蓝图(ITRS)的预测表明,在今后三年内,微处理器内难以冷却区域中的互连走线将消耗高达80%的芯片功率。热设计功耗(TDP)是评估微处理器散
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2021-05-05 19:34
短焦距超广角镜头的光学设计
介绍了一款用于监控的短焦距超广角镜头的设计,光学系统采用反远距光学结构,根据设计要求,采用等距离投影成像方式。用Zemax软件进行优化设计,合理地解决了边缘视场光照度和轴外视场像差的问题。对该结构特点进行分析评价并给出了各种像差曲线和调制传递函数(MTF)曲线。该镜头采用7组10片式结构,全视场角和相对孔径分别为175°和1/1.8,反远比为2.4。使用1/3 inch(1 inch=2.54 cm)CCD成像传感器,全视场MTF值在100 lp/mm处达到0.5,光学系统结构紧凑,像质优良。
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2021-05-05 13:47
基于VHDL实现多路彩灯控制器设计应用
一、多路彩灯控制器设计原理 设计一个彩灯控制程序器。可以实现四种花型循环变化,有复位开关。整个系统共有三个输入信号CLK,RST,SelMode,八个输出信号控制八个彩灯。时钟信号CLK脉冲由系统的晶振产生。各种不同花样彩灯的变换由SelMode控制.硬件电路的设计要求在彩灯的前端加74373锁存器。用来对彩灯进行锁存控制。此彩灯控制系统设定有四种花样变化,这四种花样可以进行切换,四种花样分别为: (1)彩灯从左到右逐次闪亮。然后从右到左逐次熄灭。 (2)彩灯两边同时亮两个,然后逐次向中间点亮。 (3)彩灯从左到右两个两个点亮,然后从右到左两个两个逐次点亮。 (4
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2021-05-04 10:20
使用MSP430FG439微控制器构建数字心率监护仪电路方案
如何使用 MSP430FG439 微控制器 (MCU) 构建数字心率监护仪。每分钟的心搏率显示在 LCD 上,并通过 RS232 串行端口生成数字数据流,从而使 EKG 波形显示在 PC 上。整个应用使用 CR2032 3-V 锂电池运行。 特性将 AFE 与外部INA相集成以进行低功耗双芯片EKG测量 基于PCB的低成本传感器 集成了分段式LCD显示屏,可轻松读出脉冲 GUI应用支持通过PC显示测量结果 该应用报告使用MOD-EKG 脉动式血氧计和心率监护仪(采用 OLIMEX Ltd 生产的 MSP430FG439 开发板) 数字心率监护仪电路图 附件包含以下资料
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2021-05-03 14:55
MFC字幕滚动交替变换VC++编写的
内容索引:VC/C++源码,字符处理, VC++编写的字幕滚动、交替变换的文字效果,基于MFC技术,与“调皮老鼠”的功能有点相似,个人练习做的,相信新手会喜欢的。
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2021-04-30 08:43
Honeywell磁阻传感器HMC1022_HMC1052
介绍了关于Honeywell磁阻传感器HMC1022_HMC1052的详细说明,提供传感器与仪表的技术资料的下载。
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2021-04-30 05:43
带有Arduino MKR1000的破折号按钮圣诞老人项目开发
将有关礼品请求状态的信息发送给圣诞老人。
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2021-04-27 10:25
ADF4350宽带直接变频发射机模拟部分完整实施方案电路方案
此设计基于ADF4350 的宽带低EVM直接变频发射机参考设计,模拟基带输入、RF输出。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波,确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。 ADF4350采用超低噪声3.3 V ADP150调节器供电,以实现最佳LO相位噪声性能。ADL5375则采用5 V ADP3334 LDO供电。ADP150 LDO的输出电压噪声仅为9 μV均方根值,有助于优化VCO相位噪声并降低VCO推挤(相当于电源抑制)的影响。 直接变频发射机原理示意图: ADF4350 RF输出滤波器原理图 附件资料截图: 可能感兴趣的项目设计: 宽带低误差矢量幅度(EVM)直接变频发射机参考设计
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2021-04-26 00:37
微波炉加热缓慢原因及故障分析
微波炉加热缓慢,原因通常有三: 一是磁控管衰老导致发射的微波功率下降: 二是高压电容失容或漏电: 三是高压整流二极管正向电阻增大(一般为100kΩ左右)或反向电阻减小(正常无穷大)。 以上均会导致加至磁控管灯丝上的负高压降低(由于磁控管阳极接地,故灯丝对地为负高压,使灯丝发射电子能力即磁控管发射的微波功率降低。对于磁控管是否衰老的判别,传统的方法是测量灯丝电阻,正常情况下应小于1Ω,且越小越好。但在实际测量时会有一定困难。这是因为一般维修者没有毫欧表或电桥,对于毫欧级的电阻变化难以区分,况且,即使磁控管严重衰老,其灯丝电阻也很少超过1Ω。 根据笔者的实践,在微波炉
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2021-04-24 18:17
浅析InTouch软件在国内泵站自动化工程中的应用.PDF
介绍了关于浅析InTouch软件在国内泵站自动化工程中的应用.PDF的详细说明,提供InTouch的技术资料的下载。
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2021-04-24 13:46