GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4o异质外延的比较研究

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GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究，冯建友，任晓敏，采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶向为（100）面无偏角和（100）面向[011]方向偏4º的Si衬底,并�