首页 下载 编程语言 其他 下载详情 GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4o异质外延的比较研究 上传:守望dfdfdf 浏览: 30 推荐: 0 文件:PDF 大小:378.54KB 上传时间:2020-05-05 20:05:05 版权申诉 GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4º异质外延的比较研究,冯建友,任晓敏,采用金属有机化学汽相沉积法(MOCVD)在Si衬底上外延生长GaAs层,对比了晶向为(100)面无偏角和(100)面向[011]方向偏4º的Si衬底,并� 立即下载 上传资源 微信扫一扫 用户评论 提交评论