蓝宝石单晶生长技术研发.pdf

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蓝宝石单晶生长技术研发。

蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

采用非掺GaN<SPAN style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE:

2021-02-23 22:51

SiC单晶生长

SiC单晶生长Growth of Bulk SiC刘喆徐现刚摘要:本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介

2020-12-13 11:54

300mm在硅单晶的生长技术.pdf

300mm在硅单晶的生长技术

2020-07-19 03:49

GaAs单晶生长综述

GaAs的两个关键应用领域是高频微电子学和光电子学。

2020-07-16 13:39

AlN单晶生长行为研究

本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响。当温差为60 °C时

2021-05-04 22:37

GaAs体单晶生长概述

高频微电子学和光电子学是GaAs材料应用的两个重要的分支，单晶生长技术也相应分开。

2020-07-16 13:39

图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长.pdf

图文详解图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长。

2020-07-16 09:58

准单晶技术.pdf

准单晶硅技术介绍

2020-02-22 23:49

石墨烯单晶的可控生长

石墨烯单晶的可控生长，韩江丽，曾梦琪，化学气相沉积（CVD）法作为合成石墨烯的主流方法之一，已在大面积高质量石墨烯的可控制备领域获得了广泛应用。但由于生长基底形貌

2020-07-24 08:20

GaAs体单晶生长概述2

高频微电子学和光电子学是GaAs材料应用的两个重要的分支，单晶生长技术也相应分开。

2020-07-18 05:35

InP单晶生长新工艺

英国Crystal Comm公司已发展了一种热环境,据称可使磷化锢(InP)单晶的液封恰克拉斯基法生长发生革命。InP是最适于最新一代光束的基质材料,其光缆的最佳传输特性在1300~1550 nm范围

2021-04-02 02:05

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准单晶（MonoLike）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观　　和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通

2020-02-22 23:49

GaAs单晶的新生长方法

GaAs气相外延生长法中有卤素输运法,生长过程中发生AsCl3(三氯化砷)的氢还原反应。这种反应必须加热到700 °C以上的髙温时才发生,在这样的高温下,从石英反应管等产生的Si造成对晶体的污染,妨碍

2021-04-18 01:22

1硅单晶生长和硅片准备

硅单晶生长和硅片准备,说明硅生产的基本工艺过程

2020-08-09 19:26

氮化镓单晶的液相生长

氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料。除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延

2021-03-03 01:14