利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率

上传：weixin_61308 浏览： 16 推荐： 0 文件：PDF 大小：471.77KB 上传时间：2020-07-23 13:00:18 版权申诉

利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率，王振国，郝玉英，利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率，掺杂浓度范围是6%-20%，当MoO3与CBP共蒸时，与未掺杂的CBP薄膜相比可以观察到电导�