绝缘体上锗(GeOI)pMOSFET的空穴迁移率的物理模型

Ge缩合技术制备的拉伸应变绝缘体上锗的室温光致发光

我们报道了在超薄锗绝缘体中的双轴拉伸应变高达0.60% 通过Ge缩合技术制造。 室温直接带材料的光致发光显着增强。

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2021-05-09 06:37

利用空间电荷限制电流方法计算MoO3CBP的空穴迁移率

利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率，王振国，郝玉英，利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率，掺杂浓度范围是6%-20%， 当MoO3与CBP共蒸时，与未掺杂的C

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2020-07-23 13:00

物理模型的学习

描述了如何生成逆反工程书写了如何生成报表

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2018-12-29 06:40

硅锗薄膜上量子点的受激发光

脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720-800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰有明显的阈值行为。实验发现从Si量子点到SiGe量子点结构的变化

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2021-02-23 12:22

拓扑绝缘体凝聚态物理中的狄拉克方程

本书基于修正狄拉克方程，全面描述了一维到三维拓扑绝缘体。书中公式推导简明易懂，给出了一系列边界附近束缚态解的推导，并描述了解的存在条件。引进了拓扑绝缘不变性及其在一些列系统中的应用，如一维聚乙炔到二维

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2019-03-05 06:01

论文研究用于红外检测的针锗器件的模型开发

与用于红外检测的III-V组材料相比，锗具有许多优势。 最重要的是，锗与互补金属氧化物半导体（CMOS）制造兼容，可以制造低成本，高通量的器件，并且不需要像许多III-V器件一样需要冷却。 由于锗直接

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2020-07-19 21:16

论文研究锗和锗锗单层掺杂的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了取代掺杂锗烷单层的Ga和As原子的能级，结构，电子和光学性质。 两种掺杂都是热力学稳定的。 根据能带结构和状态的部分密度，镓是p型掺杂。 低于导带的杂质带导致

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2020-07-16 23:29

亚马逊上的物理书单.pdf

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2021-04-07 12:02

煤中锗的测定

阐述了煤中锗的存在形式及测定方法原理。我国标准中煤中锗煤样灰化后,锗与苯芴酮在稀酸中反应生成不溶于水的橘色络合物,当有悬浮剂有时呈透明液体,在有机溶剂中呈真溶液,对煤中锗进行了比色测定,研究了相应的测

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2020-07-26 22:50

mmd上的模型

MikuMikuDance用東方キャラ第四弾。一个应用在mmd上的人物模型。

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2019-05-14 20:58

PdmReader pd的物理模型的导出

PdmReader是浏览速查pdm(*.pdm)文件的免费工具软件,与SyBase公司的PowerDesigner产品相比的优势是:它可以以最快的速度找到您要查到的数据字典信息，大大提高日常工作效率。

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2019-05-05 19:27

材料问题物理模型的建立

材料问题物理模型的建立，资源属于材料学的内容，主要件讲建立模型的主要考虑因素

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2018-12-29 06:34

尺寸正则化的物理模型

我们显式构造了尺寸为4-ε的分形,在该分形上,尺寸正则化近似于仅标量场的量子场理论振幅。 该构造在任何意义上都不需要分形是Lorentz不变的,并且我们认为可能不存在尺寸大于2的Lorentz不变分形

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2020-08-09 06:37

Flash上最高效的物理引擎

基于FLASH的物理引擎 高效轻量 var space:Space=new Space(new Vec2(0,98));

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2020-08-09 02:28

锗在红外技术上的应用和发展趋势pdf

介绍了锗作为红外光学材料的生产状况极其特性。对锗的光学特性进行了讨论，并展望了国内外光学锗的应用趋势与发展前景

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2019-02-21 01:27