Ge缩合技术制备的拉伸应变绝缘体上锗的室温光致发光

上传：niyazhou 浏览： 9 推荐： 0 文件：PDF 大小：311.08KB 上传时间：2021-05-09 06:37:42 版权申诉

我们报道了在超薄锗绝缘体中的双轴拉伸应变高达0.60% 通过Ge缩合技术制造。室温直接带材料的光致发光显着增强。

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