一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

上传:青楼好梦 浏览: 22 推荐: 0 文件:PDF 大小:87KB 上传时间:2020-08-07 16:57:10 版权申诉
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~+120°C范围的温度系数为7.427 ppm/°C,在27°C时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
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