NbSe的电子性质

这项研究使用密度泛函理论对石墨烯上的NbSe2进行了共识的电子性能分析。 根据要构造的初始系统的方式(从扶手椅,手性或Zig-zag的石墨烯层开始),应预期最终获得不同的电子性能结果。 在初始条件下考虑边缘边缘效应是至关重要的,因为将获得不同的最终结果。 将针对研究中的每种情况提供能带和电荷密度分布图。 对于原始石墨烯,Eg(价带和导带之间的禁带能隙)为0.24 eV(扶手椅),分别获得0.19 eV(手性)和0.13 eV(之字形)。 此外,考虑到结构上的缺陷(空缺),以模拟可以与构建石墨烯-缺陷-NbSe2体系的实验结果进行比较的真实情况。 据我们所知,这是第一次进行这种调查。