夹在石墨烯单层之间的MoS2的电子性质

在密度泛函理论的框架内,研究了电场对两个石墨烯片(G / MoS2 / G)之间的MoS2单层电子性能的影响。 我们表明,在垂直于G / MoS2 / G超晶格的方向上施加的正负电场会显着改变整个系统的电子结构,从而可以控制能隙值。 结果表明,在费米能级附近,无论有没有外场,能量色散几乎都是线性的。 我们通过检查C原子状态的预计密度和石墨烯内的电荷重新分布以及由电场驱动的石墨烯和MoS2层之间的电荷转移,阐明了间隙调整的机制。 这些发现是对G / MoS2 / G系统的实验研究的有益补充,并为该超晶格在快速和高通断开关晶体管方面的非凡性能提供了理论解释。