应变作用下单层MoS2的带隙工程:DFT研究

在本文中,通过分析结构参数:带隙,态密度(DOS)和米利肯电荷,使用密度泛函理论计算来研究单层MoS2的应变。 计算表明,增加的外部污点趋于降低具有较小SS夹层间距的波纹结构,并增大Mo-S键的长度。 拉伸应变极大地改变了带隙。 但是,压缩应变几乎没有。 带隙的变化通过对DOS,状态部分密度(PDOS),结构参数和Mulliken电荷分布的分析来解释。 应变对Mulliken电荷和Mo-S带长度的影响导致在拉伸和压缩应变下的带隙差异。