基础电子中的微电子工艺氧化

微电子工艺之所以会有今天的发展,二氧化硅做为一种优质的绝缘材料起着至关重要的作用。对于光波导器件来说,最合适生长上包层二氧化硅的做法也是采用氧化工艺。热氧化分为干氧氧化和湿氧氧化两种。干氧氧化的化学反应式为: 氧化一般是将硅片放在石英炉内,调节反应气体的流量和温度,温度一般为750~1200°C。热氧化工艺一般用Deal和Grove模型描述 这里砒是二氧化硅的厚度,莎是氧化时间,A、B、τ分别是跟氧气在硅表面反应速率、氧气分子在氧化物中的扩散、说明初始氧化存在的表示时间坐标偏移的常数。可以根据具体的实验条件测出来。在开始氧化时,(τ+t)《(A(2) / 4B),这是