工业电子中的利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸

薛 清,李冠成,王秉坤 (淮海工学院数理科学系, 江苏 连云港 222005) 摘要:报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。 关键词:纳米硅;快速热退火;非晶硅 中图分类号:TN305 文献标识码: A 文章编号:1003-353X(2004)10-0020-02 1 引言 单晶硅在近红外区发出很弱的光致发光[1]。改变纳米硅的大小可以改变纳米硅的光学性质。本文报道了利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒大小。实验结果表明,纳米硅晶粒不仅能在非晶硅薄膜中形成,而且所形成的纳米硅粒的大小随着退火过程升温的快慢而变化。在升温过程