硅基光电计算

上传：yangqicheng17628 浏览： 19 推荐： 0 文件：PDF 大小：4.57MB 上传时间：2021-01-31 00:01:09 版权申诉

数十年来,人们一直在探索基于光的计算体系,期望通过光的特性,突破电子计算机的局限,从而提高计算速度和降低能耗。然而,传统光计算由于缺乏有效的逻辑、存储、互连单元,以及合理的应用场景,光计算止步于概念研究阶段。在当今大数据时代的推动下,信息通量及用量呈爆炸性增长。具有高集成度、大带宽、低成本、低能耗特征的硅基光电子技术应运而生,日趋成熟,并且验证了光电融合这一信息技术发展的趋势。光计算也随之向光电计算转变。分析近年来硅基光电子技术在光电计算方面的应用和发展,如在人工神经网络、非多项式时间复杂度难题的启发式算法、光电模拟计算、集成光电量子处理器和神经拟态计算等,重点论述了硅基光电子技术在促进光电计

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硅基光电子计算研究进展报告

个人整理的硅基光电子计算研究进展报告,可做参考数十年来,人们一直在探索基于光的计算体系,期望利用光的特性,突破电子计算机的局限,从而提高计算速度和降低能耗。然而,传统光计算由于缺乏有效的逻辑、存储、

2020-10-19 03:24

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2021-02-20 01:22

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2021-05-01 23:32

基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

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2021-02-07 14:11

显示光电技术中的硅基电光调制器分类

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2020-11-17 22:32

基于硅基双极型工艺的光电探测器

目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤

2021-02-23 22:25

硅基集成光电子器件的新进展

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2021-04-06 00:15

显示光电技术中的基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术,具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺,单阱工艺只含一个阱(N阱或者P阱)。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上,而将PM

2020-11-17 08:24

显示光电技术中的基于硅基双极型工艺的光电探测器

目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤

2020-11-17 07:06

硅光电池封装

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到

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论文研究硅基光电子调制器件研究进展.pdf

硅基光电子调制器件研究进展，龚翰墨，李强，硅基光电子调制器件是硅光子学领域中不可或缺的部分，近年来得到学者们的关注。基于硅的非线性效应可实现对于通信波段信号光的调

2020-01-20 14:16

硅基光电子集成光控相控阵的研究进展

光控相控阵(OPA)不需要机械转动即可实现光束在空间内的扫描,在激光测距以及自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景。硅基光电子集成技术可在芯片上实现光电子器件的大规模集成,并与互补金属氧化物半导体(C

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显示光电技术中的硅基电光调制器Mach Zehender结构

Mach-Zehender结构:通过M-Z结构,改变其中一臂或两臂折射率,使其产生折射率差,进行相位调制并产生干涉实现强度调制。特点是制作简单,但器件尺寸偏大。M-Z干涉仪结构如图1所示。图1

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