Rf PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究

为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器,并以氩气为运载气体,正丁烷为反应物,在硅基底上实现了以液态物质四甲基硅烷(TMS)为前驱物的Si 掺杂类金刚石薄膜的沉积。硬度、应力、表面粗糙度及热稳定性的测试表明,随着运载气体流量的增加,薄膜的应力分布、表面粗糙度和热稳定性都有很大程度的改善,但也导致薄膜的硬度下降,当运载气体的流量为30 mL/min(标准状态)时,Si 掺杂DLC 薄膜的石墨化温度可以达到600 °C以上,薄膜的应力降低为0.65 GPa ,表面粗糙度降低到0.566 n