基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究

薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势, 在滤波器领域有广泛的应用前景, 其最核心的功能层为压电薄膜。本文采用磁控溅射方法, 在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜。对AlScN薄膜进行了分析表征, 结果表明, AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向, 摇摆曲线半峰宽为1.75°, 膜厚均匀性优于0.6%, 薄膜应力为10.63 MPa, 薄膜应力可调。制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器, 其机电耦合系数为7.53%。在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数, 对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义。