飞思卡尔扩大WiMAX 基站的射频功率晶体管的选择范围

近期,凭借第七代高压(HV7)射频 LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔的这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术首次在这一领域获得重大突破。 飞思卡尔已经提供了一系列12V GaAs假晶高电子迁移率晶体管 (PHEMT)产品,并计划继续开发高压GaAs PHEMT技术,推出更高功率的GaAs器件,在WiMAX系统中使用,另外也适用于2 GHz和6 GHz频段之间的其它应用。 通过提供采用射频 LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管,飞思卡尔的射频解决方案能够真正